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Semiconductor laser having improved index guiding

机译:具有改进的折射率导引的半导体激光器

摘要

A semiconductor laser includes a main body, a strip having a narrower width provided on the main body, and an active zone that generates light radiation, wherein surfaces of the main body laterally with respect to the strip and side surfaces of the strip are covered with an electrically insulating protective layer, an electrically conductive layer as a contact is provided on a top side of the strip, a cavity is provided between a side surface of the strip and the protective layer at least in a delimited section.
机译:半导体激光器包括:主体;设置在主体上的宽度较窄的条;以及产生光辐射的有源区,其中,主体的相对于条的侧面和条的侧面被表面覆盖。在带的顶侧上设置有电绝缘的保护层,作为触点的导电层,并且在带的侧表面和保护层之间至少在限定的部分中设置有空腔。

著录项

  • 公开/公告号US9899801B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-02-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;

    申请/专利号US201414774416

  • 发明设计人 ALFRED LELL;JENS MUELLER;

    申请日2014-03-11

  • 分类号H01S5/22;H01L21/324;H01S5/02;H01S5/323;H01S5/042;H01S5/028;H01S5/20;H01S5/10;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:56:20

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