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Power semiconductor module for improved thermal performance

机译:功率半导体模块,可改善热性能

摘要

Semiconductor module has a first member, a second member, a conductor column extending in the vertical direction between the first member and the second member and a sealing resin covering a first conductor layer and a first power device of the first member, a second conductor layer and a second power device of the second member and the conductor column. Positions of the first power device and the second power device on the horizontal plane are shifted, the second conductor layer is not provided in the vertical direction from a first connection part connected to the first power device, and the first conductor layer is not provided in the vertical direction from a second connection part, connected to the second power device, of the second power device.
机译:半导体模块具有第一部件,第二部件,在第一部件与第二部件之间沿上下方向延伸的导体柱,以及覆盖第一导体层和第一部件的第一功率元件的密封树脂,第二导体层。第二构件和导体柱的第二功率器件。第一电力装置和第二电力装置在水平面上的位置错开,从连接至第一电力装置的第一连接部沿竖直方向未设置第二导体层,并且在第一方向上未设置第一导体层。从第二电源装置的连接到第二电源装置的第二连接部分的垂直方向看。

著录项

  • 公开/公告号US9997437B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO. LTD.;

    申请/专利号US201514902548

  • 发明设计人 KOSUKE IKEDA;

    申请日2015-04-28

  • 分类号H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:55:26

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