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Metrology apparatus for a semiconductor pattern, metrology system including the same and metrology method using the same

机译:用于半导体图案的计量设备,包括该计量设备的计量系统以及使用该计量系统的计量方法

摘要

A metrology method includes obtaining a pattern reflection light reflected from an object by irradiating a first divided light, which is generated by reflecting a polarized light, to the object; obtaining a phase-controlled mirror reflection light reflected from a reflector by irradiating a second divided light, which is generated by transmitting the polarized light, to the reflector; and obtaining a pattern of the object based on an interference signal between the pattern reflection light and the mirror reflection light.
机译:计量方法包括:通过将通过反射偏振光而产生的第一分割光照射到对象来获得从对象反射的图案反射光;通过将偏振光透射而产生的第二分割光照射到反射器,从而获得从反射器反射的相控镜反射光;根据图案反射光与镜面反射光之间的干涉信号获得物体的图案。

著录项

  • 公开/公告号US9863752B2

    专利类型

  • 公开/公告日2018-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SK HYNIX INC.;

    申请/专利号US201514950174

  • 申请日2015-11-24

  • 分类号G01B9/02;G02B27/28;G02B5/30;G02F1/01;H01L21/66;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 12:54:38

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