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CZTSbased absorber layer thin film for solar cell with indium preparing method of the same and solar cell using the same

机译:具有铟的制备方法的基于CZTS的太阳能电池用吸收器层薄膜及使用该薄膜的太阳能电池

摘要

The present invention relates to a CZTS-based thin film solar cell using indium, a method of manufacturing the same and a solar cell using the same. The CZTS thin film solar cell to which indium is added according to the present invention comprises: (a) ; (b) copper (Cu), zinc (Zn), tin (Sn), and sulfur (S) on the rear electrode layer; Or a metal precursor including copper (Cu), zinc (Zn), tin (Sn), and selenium (Se) to form a metal precursor layer; (c) implanting indium on the metal precursor layer to form an indium-implanted layer; And (d) performing a high-temperature heat treatment in an inert gas atmosphere after the step (c) is completed. In the indium-doped CZTS thin film solar cell manufactured by the above method, the surface of the CZTS- And the efficiency of the solar cell can be improved by reducing the recombination characteristics in the depletion layer by forming a buried-homojunction.
机译:本发明涉及使用铟的基于CZTS的薄膜太阳能电池,其制造方法以及使用该铟锡氧化物的太阳能电池。根据本发明的向其中添加了铟的CZTS薄膜太阳能电池包括: (b)后电极层上的铜(Cu),锌(Zn),锡(Sn)和硫(S);或者,包括铜(Cu),锌(Zn),锡(Sn)和硒(Se)的金属前驱体形成金属前驱体层。 (c)在金属前驱体层上注入铟以形成铟注入层; (d)在完成步骤(c)之后,在惰性气体气氛中进行高温热处理。在通过上述方法制造的掺杂铟的CZTS薄膜太阳能电池中,通过形成掩埋同质结来降低耗尽层中的复合特性,可以提高CZTS-的表面。并且可以提高太阳能电池的效率。

著录项

  • 公开/公告号KR101793640B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-11-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 재단법인대구경북과학기술원;

    申请/专利号KR20160121560

  • 发明设计人 전동환;황대규;김대환;

    申请日2016-09-22

  • 分类号H01L31/18;H01L31/0236;H01L31/0392;H01L31/0445;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 12:41:36

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