首页> 外国专利> EWT MANUFACTURING METHOD OF SILICON THIN FILM FOR EMITTER WRAP-THROUGH SOLAR CELL SUBSTRATE

EWT MANUFACTURING METHOD OF SILICON THIN FILM FOR EMITTER WRAP-THROUGH SOLAR CELL SUBSTRATE

机译:发射包裹通过太阳能电池基质的硅薄膜的EWT制造方法

摘要

It is an object of the present invention to obtain a silicon thin film for an EWT solar cell substrate, in particular a porous silicon thin film formed up to a PN junction, by a simple process. To this end, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: forming a plurality of holes in a silicon base material; Depositing a stress layer on the surface of the silicon base material; And a step of peeling the stress layer and the surface layer of the silicon base material as a thin film by stress of the stress layer.
机译:本发明的目的是通过简单的方法获得用于EWT太阳能电池基板的硅薄膜,特别是形成至PN结的多孔硅薄膜。为此,本发明提供一种制造半导体器件的方法,包括:在硅基底材料中形成多个孔;以及在所述硅材料中形成多个孔。在硅基材的表面上沉积应力层;以及通过应力层的应力剥离作为薄膜的硅基材的应力层和表面层的步骤。

著录项

  • 公开/公告号KR101890222B1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-08-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 한양대학교 에리카산학협력단;

    申请/专利号KR20170054020

  • 发明设计人 유봉영;이정호;

    申请日2017-04-27

  • 分类号H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0392;H01L31/18;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 12:37:18

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号