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MoS2 film formation and transfer to a substrate

机译:MoS2成膜并转移到基材上

摘要

A kind of MoS2 layer aqueous mediums for being used to form and not supporting are described, the method comprising the steps of::. The layer of molybdenum oxide Si substrates of one component are provided; b. It anneals to deposit in the component H2S and forms MoS2 layers at a sufficient temperature; Opportunity. Contact annealing component and aqueous medium; ;This can be transmitted through dip-coating to another substrate, such as dielectric base plate for MoS2 layers without support.
机译:描述了一种用于形成和不支撑的MoS 2层水性介质,该方法包括以下步骤:提供了一种成分的氧化钼Si衬底层; b。退火以在足够的温度下沉积在组分H2S中并形成MoS2层。机会。接触退火组分和水性介质; ;这可以通过浸涂传输到另一个基板,例如不带支撑层的MoS2层的介电基板。

著录项

  • 公开/公告号EP3023390B1

    专利类型

  • 公开/公告日2019-04-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IMEC VZW;KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN;

    申请/专利号EP20150150151

  • 发明设计人 CHIAPPE DANIELE;

    申请日2015-01-06

  • 分类号C01G39/02;C01G39/06;H01L21/02;H01L21/324;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 12:31:05

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