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SILICON MELTING CRUCIBLE, METHOD OF PRODUCING SILICON MELTING CRUCIBLE, AND METHOD OF PRODUCING REACTION SINTERED SiC

机译:硅熔炼坩埚,硅熔炼坩埚的制造方法以及反应烧结SiC的制造方法

摘要

To provide a silicon melting crucible to whose surface silicon hardly adheres.SOLUTION: A silicon melting crucible 1 is characterized by comprising a base material 10 consisting of graphite, and a sedimentary layer 20 of ceramic particles covering the surface of the base material. The ceramic particle is at least one kind of ceramic particles selected from the group consisting of BN, AlO, MgO. ZrO, YO, AlN, cordierite, mullite, steatite, and forsterite, and the thickness of the sedimentary layer is 0.1 to 5 mm.SELECTED DRAWING: Figure 1
机译:提供一种几乎不粘附有硅的硅熔融坩埚。解决方案:硅熔融坩埚1的特征在于,其包括由石墨组成的基材10和覆盖该基材表面的陶瓷颗粒沉积层20。陶瓷颗粒是选自BN,AlO,MgO中的至少一种陶瓷颗粒。 ZrO,YO,AlN,堇青石,莫来石,滑石和镁橄榄石,沉积层的厚度为0.1至5 mm。

著录项

  • 公开/公告号JP2019156653A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-09-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IBIDEN CO LTD;

    申请/专利号JP20180040737

  • 发明设计人 KATO HIDEO;

    申请日2018-03-07

  • 分类号C04B41/87;C04B35/573;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:25:18

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