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発光装置の製造方法及び発光装置

机译:发光器件的制造方法和发光器件

摘要

To provide a light-emitting device with high reliability.SOLUTION: A method for manufacturing a light-emitting device according to an embodiment hereof comprises: a step of preparing a light-emitting device in which a first semiconductor laser element 20a and a second semiconductor laser element 20b are connected in series; a first measurement step of causing a current to run through the first semiconductor laser element 20a and measuring a property including at least one of electric and optical properties of the first semiconductor laser element 20a, and causing a current to flow through the second semiconductor laser element 20b and measuring a property of the second semiconductor laser element 20b; a step of causing a current to go through the first semiconductor laser element 20a and the second semiconductor laser element 20b for a fixed length of time or longer; a second measurement step of measuring a property of the first semiconductor laser element 20a, causing a current to pass through the second semiconductor laser element 20b and measuring a property of the second semiconductor laser element 20b; and a step of evaluating the first semiconductor laser element 20a and the second semiconductor laser element 20b respectively. The method includes the above steps in this order.SELECTED DRAWING: Figure 6
机译:为了提供具有高可靠性的发光器件。解决方案:根据本发明实施例的用于制造发光器件的方法包括:准备其中第一半导体激光器元件20a和第二半导体器件处于第二半导体器件的发光器件的步骤。激光元件20b串联连接。第一测量步骤,使电流流过第一半导体激光元件20a并测量包括第一半导体激光元件20a的电和光学性质中的至少一个的性质,并且使电流流过第二半导体激光元件图20b是测定第二半导体激光元件20b的特性的图。使电流流过第一半导体激光元件20a和第二半导体激光元件20b一定时间以上的步骤。第二测量步骤是测量第一半导体激光元件20a的特性,使电流流过第二半导体激光元件20b,并测量第二半导体激光元件20b的特性。分别评价第一半导体激光元件20a和第二半导体激光元件20b的步骤。该方法按上述顺序包括上述步骤。选定的图:图6

著录项

  • 公开/公告号JP2019047117A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NICHIA CHEM IND LTD;

    申请/专利号JP20180156001

  • 发明设计人 田路 知一;

    申请日2018-08-23

  • 分类号H01S5/343;H01S5/022;H01S5/42;G01R31/26;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:23:41

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