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PRODUCTION METHOD OF BARIUM NIOBIUM OXYNITRIDE FILM HAVING SMALL CARRIER DENSITY AND USAGE OF THE SAME

机译:具有小载体密度的氧化铌钡薄膜的生产方法及用途

摘要

To provide a barium niobium oxynitride film having a small carrier density.SOLUTION: A method of growing a barium niobium oxynitride film 120 includes a step of (a) growing the barium niobium oxynitride film having a carrier density of 1×10cmon a strontium titanate substrate 110 by a sputtering method. When the barium niobium oxynitride film is irradiated with light, electrons and holes are generated in a conduction band and a valence band of a portion of the barium niobium oxynitride film that has absorbed light. The hole moves to the surface of the barium niobium oxynitride film 120 and is used as a photo semiconductor electrode of a hydrogen generating device.SELECTED DRAWING: Figure 1
机译:为了提供一种具有较小载流子密度的氧氮化铌铌膜。解决方案:一种生长氮氧化钡铌膜120的方法包括以下步骤:(a)在钛酸锶衬底上生长载流子密度为1×10c的氧氮化铌铌膜。 110通过溅射方法。当用氧氮化铌铌膜照射光时,在氧吸收钡铌膜的一部分的导带和价带中产生电子和空穴。该孔移至氮氧化铌铌薄膜120的表面,并用作制氢装置的光半导体电极。

著录项

  • 公开/公告号JP2019009311A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-01-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PANASONIC CORP;

    申请/专利号JP20170124468

  • 申请日2017-06-26

  • 分类号H01L31/18;C25B11/06;C25B11/04;C25B1/06;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 12:22:34

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