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Fabrication of silicon-germanium fin structure having silicon-rich outer surface
Fabrication of silicon-germanium fin structure having silicon-rich outer surface
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机译:具有富硅外表面的硅锗鳍片结构的制造
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A method includes forming an oxide layer on a silicon-germanium (SiGe) fin formed on a substrate. The first oxide layer comprises a mixture of a germanium oxide compound (GeOx) and a silicon oxide compound (SiOx). The first oxide layer is modified to create a Si-rich outer surface of the SiGe fin. A silicon nitride layer is deposited on the modified first oxide layer.
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机译:一种方法包括在形成在基板上的硅锗(SiGe)鳍上形成氧化物层。第一氧化物层包括氧化锗化合物(GeO x Sub>)和氧化硅化合物(SiO x Sub>)的混合物。修改第一氧化物层以产生SiGe鳍的富含Si的外表面。氮化硅层沉积在改性的第一氧化物层上。
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