机译:成膜材料,光刻技术,成膜材料,光学成分形成材料,抗蚀剂组合物,抗蚀剂图案形成方法,抗蚀剂永久膜,放射线敏感性组合物,非晶膜制造方法,光刻法成膜下层膜形成成分,光刻层膜生产方法和电路图形形成方法
公开/公告号WO2019004142A1
专利类型
公开/公告日2019-01-03
原文格式PDF
申请/专利号WO2018JP24048
申请日2018-06-25
分类号G03F7/004;C07D251/24;C09D7/63;C09D201;G03F7/023;G03F7/027;G03F7/032;G03F7/039;G03F7/11;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/40;H01L21/027;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 11:57:31