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2 TWO-DIMENSIONAL QUASI CRYSTAL STRUCTURE

机译:2二维准晶体结构

摘要

Forming a first layer of material comprising a polygonal crystal structure on a substrate; Heat treating the first material layer to convert into a second material layer having the same crystal structure as the polygonal crystal structure; And growing a third material layer having the same crystal structure as the polygonal crystal structure on the substrate, wherein the polygonal crystal structure of the second material layer and the polygonal crystal structure of the third material layer are different from each other Dimensional quasicrystalline structure with directionality and being staggered and laminated.
机译:在衬底上形成包括多边形晶体结构的第一材料层;对第一材料层进行热处理以转变成具有与多边形晶体结构相同的晶体结构的第二材料层;在基板上生长具有与多边形晶体结构相同的晶体结构的第三材料层,其中第二材料层的多边形晶体结构与第三材料层的多边形晶体结构互不相同。并被交错和层压。

著录项

  • 公开/公告号KR101931217B1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-12-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 성균관대학교산학협력단;

    申请/专利号KR20170029984

  • 发明设计人 안종렬;안성준;김현우;

    申请日2017-03-09

  • 分类号H01L21/02;H01L21/20;H01L21/324;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:51:57

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