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Fabrication of correlated electronic devices with reduced interface layer impedance

机译:界面层阻抗降低的相关电子设备的制造

摘要

The technique generally relates to the fabrication of correlated electronic materials used, for example, to perform a switching function. In embodiments, a process that may be useful, for example, to avoid the formation of a potential resistive oxide layer at the interface surface between the conductive substrate and the correlated electronic material is described.
机译:该技术通常涉及用于执行例如开关功能的相关电子材料的制造。在实施例中,描述了可用于例如避免在导电衬底与相关电子材料之间的界面处形成潜在的电阻氧化物层的过程。

著录项

  • 公开/公告号KR20190027867A

    专利类型

  • 公开/公告日2019-03-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 에이알엠 리미티드;

    申请/专利号KR20197003701

  • 申请日2017-07-04

  • 分类号H01L45;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/56;H01L49;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:51:27

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