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Method for producing a nanocrystalline, gas-sensitive layer structure, corresponding nanocrystalline, gas-sensitive layer structure, and gas sensor with a corresponding nanocrystalline, gas-sensitive layer structure

机译:制备纳米晶体气敏层结构的方法,相应的纳米晶体气敏层结构以及具有相应的纳米晶体气敏层结构的气体传感器

摘要

The present invention provides a method for producing a nanocrystalline, gas-sensitive layer structure, a corresponding nanocrystalline, gas-sensitive layer structure, and a gas sensor with a corresponding nanocrystalline, gas-sensitive layer structure. The method for producing a nanocrystalline, gas-sensitive layer structure (201) on a substrate (101) comprises the steps of depositing a base layer (102) from a base material, depositing a doping layer (103) from a doping material, repeating the preceding steps, and performing a Temperschritts, whereby a gas-sensitive, nanocrystalline layer structure (200) is produced.
机译:本发明提供了一种用于生产纳米晶体的气敏层结构,相应的纳米晶体的气敏层结构的方法以及具有相应的纳米晶体的气敏层结构的气体传感器。在基板(101)上生产纳米晶体的气敏层结构(201)的方法包括以下步骤:从基材沉积基层(102),从掺杂材料沉积掺杂层(103),重复在前面的步骤中,并进行温度调节,由此产生气体敏感的纳米晶体层结构(200)。

著录项

  • 公开/公告号DE102017208418A1

    专利类型

  • 公开/公告日2018-11-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ROBERT BOSCH GMBH;

    申请/专利号DE201710208418

  • 发明设计人 ANDREAS KRAUSS;ELISABETH PREISS;

    申请日2017-05-18

  • 分类号B82B3;G01N27/12;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 11:45:15

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