机译:形成电容器阵列的方法,形成分别包括电容器和晶体管的存储单元阵列的方法,电容器阵列以及分别包括电容器和晶体管的存储单元阵列
公开/公告号US10748987B2
专利类型
公开/公告日2020-08-18
原文格式PDF
申请/专利权人 MICRON TECHNOLOGY INC.;
申请/专利号US201916426419
申请日2019-05-30
分类号H01L27/108;H01L49/02;H01L27/11507;H01L29/66;H01L29/78;
国家 US
入库时间 2022-08-21 11:31:06