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Crystalline oxide semiconductor thin film, method for producing crystalline oxide semiconductor thin film, and thin film transistor

机译：晶体氧化物半导体薄膜，晶体氧化物半导体薄膜的制造方法和薄膜晶体管

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摘要

A crystalline oxide semiconductor thin film that is composed mainly of indium oxide and comprises surface crystal grains having a single crystal orientation.

机译：一种主要由氧化铟组成并包括具有单晶取向的表面晶粒的晶体氧化物半导体薄膜。

著录项

公开/公告号US10636914B2

专利类型
公开/公告日2020-04-28

原文格式PDF
申请/专利权人 IDEMITSU KOSAN CO. LTD.;
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申请/专利号US201615748356
发明设计人 KAZUYOSHI INOUE;FUTOSHI UTSUNO;YUKI TSURUMA;SHIGEKAZU TOMAI;KAZUAKI EBATA;
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申请日2016-07-29
分类号H01L29/786;C01G15;H01L21/02;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58;C30B1/02;C30B29/16;H01L29/04;H01L29/24;H01L29/66;
国家 US
入库时间 2022-08-21 11:27:58

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