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Packages formed using RDL-last process

机译:使用RDL-last过程形成的程序包

摘要

A method includes bonding a first device die and a second device die to a substrate, and filling a gap between the first device die and the second device die with a gap-filling material. A top portion of the gap-filling material covers the first device die and the second device die. Vias are formed to penetrate through the top portion of the gap-filling material. The vias are electrically coupled to the first device die and the second device die. The method further includes forming redistribution lines over the gap-filling material using damascene processes, and forming electrical connectors over and electrically coupling to the redistribution lines.
机译:一种方法包括将第一器件管芯和第二器件管芯结合到衬底上,并用间隙填充材料填充第一器件管芯和第二器件管芯之间的间隙。间隙填充材料的顶部覆盖第一器件管芯和第二器件管芯。形成通孔以穿透间隙填充材料的顶部。通孔电耦合到第一器件管芯和第二器件管芯。该方法还包括使用镶嵌工艺在间隙填充材料上形成再分布线,以及在再分布线上方形成并电耦合到再分布线的电连接器。

著录项

  • 公开/公告号US10541228B2

    专利类型

  • 公开/公告日2020-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.;

    申请/专利号US201715693950

  • 发明设计人 MING-FA CHEN;CHEN-HUA YU;

    申请日2017-09-01

  • 分类号H01L23/48;H01L23/46;H01L23/36;H01L25/065;H01L25;H01L23/467;H01L23/473;H01L23/367;H01L23/538;H01L23;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:27:19

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