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WAVEGUIDE HETEROSTRUCTURE FOR DISPERSION COMPENSATION IN SEMICONDUCTOR LASER

机译:半导体激光器中色散补偿的波导异质结构

摘要

A waveguide heterostructure for a semiconductor laser with an active part, comprising an active region layer depending of the type of semiconductor used, which is sandwiched between an electrode layer and a substrate, usable for dispersion compensation in a semiconductor laser frequency comb setup, an optical frequency comb setup and a manufacturing method.
机译:用于具有有源部件的半导体激光器的波导异质结构,其包括取决于所使用的半导体类型的有源区层,该有源区层被夹在电极层和衬底之间,可用于半导体激光器频率梳设置中的色散补偿,光学频率梳的设置及其制造方法。

著录项

  • 公开/公告号US2020287353A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-09-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ETH ZÜRICH;

    申请/专利号US201816652514

  • 申请日2018-09-27

  • 分类号H01S5/34;H01S5/10;H01S5/32;H01S5;H01S5/227;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:19:58

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