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REFERENCE GENERATOR AND CURRENT SOURCE TRANSISTOR BASED ON COMPLEMENTARY CURRENT FIELD-EFFECT TRANSISTOR DEVICES

机译:基于互补电流场效应晶体管器件的参考发生器和电流源晶体管

摘要

Existing proportional to absolute temperature (PTAT)/complementary-to-absolute-temperature (CTAT) reference voltage circuit requires a large components count and foot print, precise device matching for accuracy and unsatisfactory sensitivity error or variation to temperature and humidity. The present invention relates to a novel approach for such reference voltage circuit based on a self-biased complementary pair of n-type and p-type current field-effect transistors, which provides rail PTAT, rail CTAT and analog reference voltages.
机译:现有的与绝对温度(PTAT)/互补绝对温度(CTAT)参考电压电路成比例的电路需要大量的元件和占位面积,需要精确的器件匹配,以确保精度和令人满意的灵敏度误差或温度和湿度变化。本发明涉及一种基于n型和p型电流场效应晶体管的自偏置互补对的,用于这种参考电压电路的新颖方法,其提供轨PTAT,轨CTAT和模拟基准电压。

著录项

  • 公开/公告号US2020042030A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-02-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CIRCUIT SEED LLC;

    申请/专利号US201916600901

  • 发明设计人 SUSAN MARYA SCHOBER;ROBERT C. SCHOBER;

    申请日2019-10-14

  • 分类号G05F3/24;G05F3/26;H03F3/16;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:19:03

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