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SINGLE EVENT UPSET STABILIZED MEMORY CELLS

机译:单事件上表稳定存储单元

摘要

A single-event-upset (SEU) stabilized memory cell includes a latch portion including a cross-coupled latch, and at least one cross coupling circuit path in the latch portion including a first series-connected pair of vertical resistors.
机译:单事件翻转(SEU)稳定的存储单元包括:一个锁存器部分,包括一个交叉耦合的锁存器;以及在锁存器部分中的至少一个交叉耦合电路路径,包括第一对垂直电阻对。

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