首页> 外国专利> Dynamic voltage supply circuit in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device including the dynamic voltage supply circuit

Dynamic voltage supply circuit in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device including the dynamic voltage supply circuit

机译:非易失性存储装置中的动态电压供给电路以及包括该动态电压供给电路的非易失性存储装置

摘要

The dynamic voltage supply circuit of the nonvolatile memory device includes a voltage amplification output circuit that receives a first clock signal and a second clock signal and generates a dynamic supply voltage twice the supply voltage while the first clock signal is at a low level, and And a dynamic voltage output circuit that outputs a dynamic supply voltage while the first clock signal is at a low level and outputs a ground voltage while the first clock signal is at a high level.
机译:非易失性存储器件的动态电压供应电路包括电压放大输出电路,该电压放大输出电路接收第一时钟信号和第二时钟信号,并在第一时钟信号为低电平时生成两倍于电源电压的动态电源电压,以及动态电压输出电路,其在第一时钟信号为低电平时输出动态电源电压,并在第一时钟信号为高电平时输出接地电压。

著录项

  • 公开/公告号KR20200118332A

    专利类型

  • 公开/公告日2020-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利号KR20190040377

  • 发明设计人 송현민;

    申请日2019-04-05

  • 分类号G11C16/34;G11C16/04;G11C16/26;G11C16/30;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:05:45

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号