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STTMRAM METHOD AND SYSTEM FOR SCREENING DEFECTIVE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION OF SPINTRANSFER TORQUE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY

机译:STTMRAM方法和系统,用于屏蔽传递转矩磁随机访问存储器的有缺陷的磁隧道结

摘要

FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method and system for screening defective cells in an STTMRAM, wherein the Incremental Stepping Pulse Stress includes different pulse conditions and lead times in each of the safe area, the screen area and the nominal breakdown area in the STTMRAM. By screening the defective MTJ element by applying the method, the defective MTJ element can be efficiently screened by improving screen accuracy while reducing screen time consumption.
机译:用于筛选STTMRAM中的缺陷单元的方法和系统技术领域本发明涉及一种用于筛选STTMRAM中的缺陷单元的方法和系统,其中,增量步进脉冲应力在其中的安全区域,筛选区域和标称击穿区域的每一个中包括不同的脉冲条件和提前时间。 STTMRAM。通过应用该方法来筛选有缺陷的MTJ元件,可以通过提高屏幕精度同时减少屏幕时间消耗来有效地筛选有缺陷的MTJ元件。

著录项

  • 公开/公告号KR102076323B1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 한양대학교 산학협력단;

    申请/专利号KR20180039036

  • 发明设计人 송윤흡;

    申请日2018-04-04

  • 分类号G11C11/16;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:05:23

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