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Testing circuit for the switching characteristics of semiconductor device

机译:半导体器件开关特性测试电路

摘要

As a test circuit for generating a double pulse for measuring the switching characteristics of a semiconductor device, To provide pulses driving protection IGBT pulse generator and DUT switching pulse generator Pulse Start circuit; A protection IGBT pulse generator that generates a pulse for driving the protection IGBT; And a DUT switching pulse generator for driving the device under test.
机译:作为产生用于测量半导体器件的开关特性的双脉冲的测试电路,提供脉冲驱动保护IGBT脉冲发生器和DUT开关脉冲发生器的Pulse Start电路;保护IGBT脉冲发生器,产生用于驱动保护IGBT的脉冲;还有一个DUT切换脉冲发生器,用于驱动被测设备。

著录项

  • 公开/公告号KR102155497B1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-09-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ECO SEMITEK CO. LTD.;

    申请/专利号KR20190115555

  • 发明设计人 이남원;

    申请日2019-09-19

  • 分类号H03K5;H03K5/135;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:03:46

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