测试半导体存储器件的方法和半导体存储器件的测试电路

摘要

与具有频率为外时钟ECK频率的四倍的PLL时钟PCK同步，产生包括外部地址EAD的n个内部地址IAD，与PLL时钟PCK同步，产生n位内部写入数据ITD以写入RAM宏12中。此后，锁存外部地址EAD，与PLL时钟PCK同步产生包括外部地址EAD的n个内部地址IDA，与PLL时钟PCK同步从RAM宏12读取对应n个内部地址IAD的n位内部读取数据ITQ，并且输出在n个内部地址IAD中对应与锁存地址LAD一致的内部地址IAD的内部读取数据ITQ。