首页> 外国专利> NMOS PMOS NMOS AND PMOS STRAINED DEVICES WITHOUT RELAXED SUBSTRATES

NMOS PMOS NMOS AND PMOS STRAINED DEVICES WITHOUT RELAXED SUBSTRATES

机译:NMOS PMOS NMOS和PMOS应变器件,没有松弛的基体

摘要

Embodiments herein provide semiconductor devices and methods for strained NMOS and PMOS devices without relaxed substrates, and systems incorporating such semiconductor devices and methods therefor.
机译:本文的实施例提供了用于没有松弛衬底的应变NMOS和PMOS器件的半导体器件和方法,以及结合了这种半导体器件和方法的系统。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号