Method and arrangement for attenuating short channel effects in silicon carbide MOSFET devices

摘要

Es werden eine Leistungstransistoranordnung und ein Verfahren zum Abschwächen von Kurzkanaleffekten in einer Leistungstransistoranordnung bereitgestellt. Die Leistungstransistoranordnung enthält eine erste Schicht aus Halbleitermaterial, die aus einem Material eines ersten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, und eine Hartmaskenschicht, die mindestens einen Abschnitt der ersten Schicht bedeckt und durch die ein Fenster verläuft, das eine Oberfläche der ersten Schicht freilegt. Die Leistungstransistoranordnung schließt auch eine erste Region, die in der ersten Schicht aus Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet und an dem Fenster ausgerichtet ist, eine oder mehrere Source-Regionen, die aus Material des ersten Leitfähigkeitstyps innerhalb der ersten Region gebildet und durch einen Abschnitt der ersten Region getrennt sind, und eine Verlängerung der ersten Region, die sich seitlich durch die Oberfläche der ersten Schicht erstreckt, ein