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具有横向P/N结的VCSEL系统

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摘要

本发明提供了一种VCSEL系统，其包括：形成第一反射镜；在所述第一反射镜上形成垂直腔，所述垂直腔包括集成的多个增益区；并且沿着所述集成的多个增益区的横向形成横向p/n结，其中，正向偏压所述横向p/n结在所述集成的多个增益区中引起光子发射。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-09-09

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/183 授权公告日:20120808 终止日期:20140718 申请日:20060718

专利权的终止
2013-06-05

专利权的转移 IPC(主分类):H01S 5/183 变更前: 变更后: 登记生效日:20130508 申请日:20060718

专利申请权、专利权的转移
2012-08-08

授权

授权
2008-09-17

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-01-24

公开

公开

1. 具有横向P/N结的VCSEL系统 [P] . 中国专利： CN1901300B . 2012.08.08
2. 具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法 [P] . 中国专利： CN110224032B . 2021.04.13
3. Vcsel system with transverse p/n junction [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1746694B1 . 2009-05-20

机译：具有横向p / n结的VCSEL系统
4. Vcsel system with transverse p/n junction [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1746694A1 . 2007-01-24

机译：具有横向p / n结的VCSEL系统
5. VCSEL SYSTEM WITH LATERAL P-N JUUNCTION [P] . 日本专利： JP2007036233A . 2007-02-08

机译：具有横向P-N结的VCSEL系统