Ti和W合金上浸渍沉积钯以选择性引发无电沉积制作晶片

摘要

本文涉及一种制造集成电路晶片的方法，其中晶片中具有通道或其它通路，该通路具有屏障层/粘合层或其它金属层，该金属层被金属化，以形成含有活化金属层的电路，然后用优选含有碱性的钯的非氨型氮(乙二胺)配合物的敏化置换组合物，在特别控制的pH下与晶片接触以敏化金属层。用含有配位任何溶解的金属的配位剂的活化溶液活化晶片。敏化溶液也优选含有能配位任何溶解的金属的配位剂，并优选含有辅助配位剂例如EDTA以增溶贱金属(base metal)杂质。