控制外延层形成期间形态的方法

摘要

本发明的第一方面是提供一种在基材上选择性形成外延层的方法。此方法包含加热所述基材至低于约800℃的一温度；以及在所述外延膜形成过程中，一并使用硅烷与二氯甲硅烷作为硅源。本发明亦提供其它各式的方面。