一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器

摘要

本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体上变频混频器，该混频器具体电路包含了两个吉尔伯特双平衡单元结构，电路结构从上到下包括输出级，开关级，跨导级，电流源级；同时，电路还采用了电流注入方式，在最顶端有四个N型MOS管，动态抽取流过开关的电流，减小开关的噪声贡献。该混频器结合了双极型器件和MOS器件两者的优点，利用了锗化硅器件低噪声优势，具有低噪声，高线性度，低谐波失真，工作速度快等特点；本发明单边带噪声系数为9dB，输入1dB压缩点为-1.3dB同时转换增益为-2.5dB；本发明可应用于全球通(GSM)系统、射频识别(RFID)系统。