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碳掺杂硼氮纳米管/半导体氧化物复合材料及其制备方法

摘要

碳掺杂硼氮纳米管/半导体氧化物复合材料及其制备方法,它涉及纳米材料/氧化物复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的检测氮氧化合物气体的敏感材料室温下灵敏度低、响应速度慢的问题。本发明的复合材料由碳掺杂硼氮纳米管、过渡金属盐和沉淀剂制成;方法:催化剂、含硼材料和碳纳米管研磨后在氨气中合成,再提纯、焙烧后得到碳掺杂硼氮纳米管、然后将其分散于金属盐溶液中,再经沉淀剂改性、烧结得到复合材料。本发明是作为敏感材料用于对氮氧化合物气体的检测,可检测到的气体的最低摩尔浓度为970ppb,灵敏度≥2.37%,敏感膜从注入氮氧化合物气体至电阻完全稳定的时间≤20秒,响应速度快吸、吸附可逆性好。

著录项

  • 公开/公告号CN101718732B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-07-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 黑龙江大学;

    申请/专利号CN200910311069.5

  • 申请日2009-12-09

  • 分类号G01N27/04(20060101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人韩末洙

  • 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-01-27

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N 27/04 授权公告日:20120725 终止日期:20141209 申请日:20091209

    专利权的终止

  • 2012-07-25

    授权

    授权

  • 2010-07-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/04 申请日:20091209

    实质审查的生效

  • 2010-06-02

    公开

    公开

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