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硅结构体及其制造方法和装置及使用硅结构体的太阳电池

摘要

一种对太阳电池有用的太阳光线反射小的硅结构体。在石英基片的整个表面上淀积厚约1μm的Mo形成下部电极。使用已加有BCl

著录项

  • 公开/公告号CN1082254C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2002-04-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 松下电器产业株式会社;

    申请/专利号CN96111130.5

  • 申请日1996-08-22

  • 分类号H01L31/0248;H01L31/18;H01L31/06;H01L21/00;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人董巍

  • 地址 日本大阪府

  • 入库时间 2022-08-23 08:55:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-10-22

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2002-04-03

    授权

    授权

  • 1997-10-29

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1997-04-09

    公开

    公开

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