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使用于半导体存储装置中的内部信号产生器

摘要

一种半导体存储装置包括一具有多个管道锁存器的管道锁存器单元,所述管道锁存器中的每一个响应于一外部命令的启动而锁存一外部地址,且响应于一对应于该外部命令的内部命令的启动而输出一内部地址。一管道锁存器控制单元经配置以控制该管道锁存器单元以循序启用该多个管道锁存器。一输出驱动单元经配置以选择性输出该内部地址或该外部地址。该内部命令是在始于该外部命令的一启动时序的一预定延时之后予以启动。

著录项

  • 公开/公告号CN1941198B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-06-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 海力士半导体有限公司;

    申请/专利号CN200610141203.8

  • 发明设计人 辛范柱;

    申请日2006-09-28

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人钱大勇

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-11-26

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/4096 授权公告日:20120627 终止日期:20130928 申请日:20060928

    专利权的终止

  • 2012-06-27

    授权

    授权

  • 2007-05-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-04-04

    公开

    公开

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