公开/公告号CN101630173B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-06-20
原文格式PDF
申请/专利权人 四川和芯微电子股份有限公司;
申请/专利号CN200910164205.2
发明设计人 朱国军;
申请日2009-08-20
分类号G05F3/24(20060101);
代理机构成都天嘉专利事务所(普通合伙);
代理人徐丰
地址 610041 四川省成都市高新区孵化园7号楼409室
入库时间 2022-08-23 09:09:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-07
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G05F 3/24 授权公告日:20120620 终止日期:20170820 申请日:20090820
专利权的终止
2012-06-20
授权
授权
2012-06-20
授权
授权
2010-03-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2010-03-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2010-01-20
公开
公开
2010-01-20
公开
公开
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机译: 具有低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
机译: 低闪烁噪声的CMOS带隙基准源电路
机译: 具有低带隙CMOS接触区和低带隙双极基极区的BiCMOS器件