首页> 中国专利> 宽带隙装置和用于在电压瞬变期间保护宽带隙装置的方法

宽带隙装置和用于在电压瞬变期间保护宽带隙装置的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明揭示一种用于在抑制电压瞬变期间保护宽带隙装置免于失效的方法及装置。通过横跨所述宽带隙装置210或250的阻挡结放置一个或一个以上二极管255-260或PNP晶体管205来实现雪崩耐量的改善。

著录项

公开/公告号CN101647107B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-06-13

原文格式PDF
申请/专利权人飞兆半导体公司;
展开▼

申请/专利号CN200780031915.7
发明设计人约瑟夫·A·耶迪纳克;理查德·L·伍丁;克里斯托弗·L·雷克塞尔;普拉韦恩·穆拉利德哈兰·谢诺伊;吴侊勋;尹钟晚;
展开▼

申请日2007-07-26
分类号H01L21/331(20060101);H01L31/111(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人孟锐
地址美国缅因州
入库时间 2022-08-23 09:09:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-05-01

专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/331 变更前: 变更后: 申请日:20070726

专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-06-13

授权

授权
2012-06-13

授权

授权
2010-04-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20070726

实质审查的生效
2010-04-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/331 申请日:20070726

实质审查的生效
2010-02-10

公开

公开
2010-02-10

公开

公开

查看全部

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 宽带隙装置和用于在电压瞬变期间保护宽带隙装置的方法 [P] . 中国专利： CN101647107B . 2012.06.13
2. 宽带隙半导体装置以及宽带隙半导体装置的制造方法 [P] . 中国专利： CN107078167A . 2017-08-18
3. Methods for Processing a Wide Band Gap Semiconductor Wafer, Methods for Forming a Plurality of Thin Wide Band Gap Semiconductor Wafers, and Wide Band Gap Semiconductor Wafers [P] . 美国专利： US2019348328A1 . 2019-11-14

机译：用于处理宽带隙半导体晶片的方法，用于形成多个薄宽带隙半导体晶片的方法以及宽带隙半导体晶片
4. Methods for Processing a Wide Band Gap Semiconductor Wafer Using a Support Layer and Methods for Forming a Plurality of Thin Wide Band Gap Semiconductor Wafers Using Support Layers [P] . US2021351077A1 . 2021-11-11

机译：用于使用支撑层和用于使用支撑层形成多个薄宽带隙半导体晶片的方法的宽带隙半导体晶片的方法
5. R-voltage protection device, has spark gap utilized to prepare another spark gap for fast ignition during occurrence of fault, where delay wiring supplies over-voltage of latter spark gap opposite to former spark gap with delay [P] . 德国专利： DE102010035935A1 . 2012-03-01

机译： R电压保护装置，具有火花隙，可用于准备另一个火花隙，以便在发生故障时快速点火，其中延迟接线提供与后一个火花隙相反的后一个火花隙的过电压，并具有延迟