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【2h】

Annealing Induced Dissipation of Residual Trapped Charge in Focused Ion Beam Processed Wide Band Gap Materials for Device Applications.

机译：退火诱导在聚焦离子束中的残余捕获电荷的耗散处理用于装置应用的宽带隙材料。

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MA Stevens-Kalceff; P Gowlett;
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年度 2006
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