首页> 中国专利> 一种两步法生长氧化锌纳米棒阵列的制备工艺

一种两步法生长氧化锌纳米棒阵列的制备工艺

摘要

本发明提供一种用两步法在氧化铟锡导电聚酯薄膜上生长ZnO纳米棒阵列(ZNRs)的制备工艺,即先将配制好的ZnO晶核胶体用匀胶法或提拉法在氧化铟锡导电聚酯薄膜上,预制备ZnO种晶,再用低温液相法生长出ZNRs,这种“两步法”很好地解决了直接在氧化铟锡导电聚酯薄膜上无法生长ZNRs的问题,还可以根据需要制备不同密度的ZNRs。这种一维ZNRs,在纳米电子、光电子,柔软电致变色器件等许多领域有很好的应用前景。

著录项

  • 公开/公告号CN101818345B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 襄樊学院;

    申请/专利号CN200910272849.3

  • 发明设计人 胡安正;黄新堂;

    申请日2009-11-13

  • 分类号C23C26/02(20060101);C30B29/16(20060101);C01G9/02(20060101);H05B33/10(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 441053 湖北省襄樊市襄城区隆中路7号

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-01-04

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 26/02 授权公告日:20120509 终止日期:20151113 申请日:20091113

    专利权的终止

  • 2012-05-09

    授权

    授权

  • 2010-10-20

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 26/02 申请日:20091113

    实质审查的生效

  • 2010-09-01

    公开

    公开

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