膜沉积方法和半导体器件的制造方法

摘要

一种膜沉积方法，包括以下步骤：将含有聚硅烷化合物的溶液涂覆于基板上，形成涂层膜，然后在惰性气氛下进行第一热处理，由此使所述涂层膜形成为硅膜；在所述硅膜上形成含有聚硅烷化合物的涂层膜，然后在惰性气氛或者还原气氛下进行第二热处理，由此使所述涂层膜形成为氧化硅前体膜；和在氧化气氛下进行第三热处理，由此使所述氧化硅前体膜形成为氧化硅膜，并且同时使所述硅膜致密化。