具有双层堆叠自对准栅结构的存储器的制造方法

摘要

本发明公开了一种具有双层堆叠自对准栅结构的存储器的制造方法，包括如下步骤：(1)在硅衬底上形成栅极氧化层和隧穿氧化层，在该栅极氧化层和隧穿氧化层上依次沉积下层多晶硅、中间绝缘层；(2)光刻，刻蚀中间绝缘层直至下层多晶硅停止；(3)全面沉积上层多晶硅；(4)光刻，刻蚀多晶硅直至栅极氧化层停止，形成具有上层多晶硅、中间绝缘层和下层多晶硅的双层多晶硅栅结构；(5)后续工艺，包括去除残留的栅极氧化层，最终形成具有双层堆叠自对准栅结构的存储器。该方法能降低PID引起的产品失效，提高整体成品率和可靠性。