一种具有电子俘获擦除状态的非易失半导体存储单元及其操作方法

摘要

本发明的一较佳实施例提供了一种俘获式非易失存储单元，其包括有一个其上被形成有一N+源极与一N+漏极的P型半导体基底、一个被形成在该源极与该漏极之间的沟道。一个第一绝缘层、一个非传导式电荷陷获层、一个第二绝缘层、以及一个栅极被依序形成在该沟道之上。当非易失存储单元被擦除之时，陷获层会储存一定量的电子。