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单晶硅太阳能电池的制造方法及单晶硅太阳能电池

摘要

本发明提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池,其以结晶性高的单晶硅作为薄膜的光变换层。一种单晶硅太阳能电池的制造方法,包含:将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序;于金属基板上形成透明绝缘性层的工序;于上述离子注入面和上述透明绝缘性层表面的至少其中一方,进行表面活化处理的工序;将此两者贴合的工序;机械性剥离上述单晶硅基板以作成单晶硅层的工序;于上述单晶硅层的上述剥离面形成多个第二导电型的扩散区域,并使上述单晶硅层的上述剥离面存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序;于上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上各自形成多个个别电极的工序;形成各集电电极的工序;以及形成透明保护膜的工序。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-03-29

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 授权公告日:20120523 终止日期:20180408 申请日:20080408

    专利权的终止

  • 2012-05-23

    授权

    授权

  • 2012-05-23

    授权

    授权

  • 2010-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20080408

    实质审查的生效

  • 2010-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20080408

    实质审查的生效

  • 2008-10-15

    公开

    公开

  • 2008-10-15

    公开

    公开

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