增强场效氧化物的方法和具有增强的场效氧化物的集成电路

摘要

图2中展示一具有多晶硅保护瓦片的CMOS装置。LOCOS区(12.1)和(12.2)分别将相邻的有源区(16.1)与(16)分离且将(18.1)与(18)分离。所述LOCOS区(12.1、12.2)的上表面上分别是多晶硅瓦片(14.1、14.2)。栅极多晶硅(14.3)和所述多晶硅瓦片(14.1和14.2)的角落处是氧化物间隔物(60.1-60.6)。所述多晶硅瓦片(14.1、14.2)具有硅化物层(50.1、50.2)。其它硅化物层(50.4-50.6)处于源极、漏极和多晶硅栅极的顶部。一绝缘层(32)覆盖衬底，且金属触点(36、34、38)从所述层(32)的表面分别延伸到所述源极、栅极和漏极上的所述硅化物层。所述多晶硅瓦片由与所述栅极相同层的多晶硅制成，且其与所述栅极同时形成。所述多晶硅瓦片的用意是减少场效氧化物在紧密间隔的有源区之间的侵蚀。另外，当有源硅区之间的隔离必须充当一离子注入步骤的一自行对准阻挡层时，所述多晶硅瓦片本身增加所述隔离的厚度。