公开/公告号CN102110595B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-04-25
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201010595707.3
申请日2010-12-20
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:09:27
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-04-25
授权
授权
2011-08-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20101220
实质审查的生效
2011-06-29
公开
公开
机译: 与InP键合的InAlAs和InGaAs晶格的干法刻蚀方法
机译: 一种局部修饰砷化铟镓磷酸盐(InGaAsP)量子阱结构中有效带隙能的方法
机译: 一种局部修饰砷化镓铟磷(INGAASP)量子阱结构中有效带隙能的方法