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在大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法

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摘要

本发明涉及一种大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法，将6H-SiC晶片碳面抛光、清洗，碳面朝上平放在单晶生长炉坩埚中的石墨托盘中，抽真空度至1×10

1. 在大直径6H-SiC碳面上生长石墨烯的方法 [P] . 中国专利： CN102051677B . 2012.03.28
2. 一种基于原位Si气氛作用在大直径4H/6H-SiC硅面衬底外延生长石墨烯的方法 [P] . 中国专利： CN104947184A . 2015-09-30
3. METHOD FOR COATING A CATALYST METAL LAYER USING NUCLEIC ACID AND A METHOD FOR FORMING A NANO CARBON, CAPABLE OF GROWING THE NANO CARBON WITH A UNIFORM DIAMETER AND UNIFORM DENSITY ON THE SURFACE OF A CARBON MATRIX [P] . 韩国专利： KR20100104046A . 2010-09-29

机译：用核酸涂覆催化剂金属层的方法和形成纳米碳的方法，能够在碳基质表面上生长具有均匀直径和均匀密度的纳米碳
4. METHOD FOR GROWING GRAPHENE ON SURFACE OF GRID ELECTRODE AND METHOD FOR GROWING GRAPHENE ON SURFACES OF SOURCE AND DRAIN ELECTRODES [P] . 世界知识产权组织专利： WO2017016008A1 . 2017-02-02

机译：在网格电极表面上生长石墨烯的方法以及在源电极和漏极电极表面上生长石墨烯的方法
5. Method for growing graphene on surface of gate electrode and method for growing graphene on surface of source/drain surface [P] . 美国专利： US9543156B1 . 2017-01-10

机译：在栅电极表面上生长石墨烯的方法和在源/漏表面上生长石墨烯的方法