在半导体存储器件中形成隔离层的方法

摘要

本发明涉及一种形成半导体存储器件的隔离膜的方法。依据本发明，在形成隧道氧化膜之前所执行的预处理清洗工艺中，在60℃-70℃的温度范围内执行SC-1清洗工艺。因此，即使在SC-1清洗工艺和DHF清洗工艺中，也可使单元区域和周边区域中的氧化膜凹进。因而可减少DHF清洗时间。因此，本发明具有以下优点，即本发明可通过DHF使硅衬底的损失最小化，因而可控制沟的深度。