首页> 中国专利> FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器

FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器

摘要

本发明公开了一种FP腔增强型电注入光子晶体带边面发射激光器,该激光器具有深刻蚀孔的光子晶体结构,该光子晶体结构具有带边面发射性质,且位于FP脊形条上,FP脊形条宽度较宽,FP腔长度较长,P电极完全位于脊形条上,根据光子晶体的对称性,可以扩展FP腔的结构。利用本发明,能够实现低成本的电注入光子晶体带边面发射激光器,且本结构可以用于集成光路中特征信号的读出器,通过对FP腔结构的扩展,可以实现多通道耦合增强。

著录项

  • 公开/公告号CN102201648B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201110093303.9

  • 申请日2011-04-14

  • 分类号H01S5/18(20060101);H01S5/22(20060101);H01S5/042(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-05-02

    授权

    授权

  • 2011-11-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/18 申请日:20110414

    实质审查的生效

  • 2011-09-28

    公开

    公开

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