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矩形基座的不对称接地

摘要

本发明提供了在等离子体处理腔室(40)使用的接地基座(72),其用于在支撑在该基座上并通过该基座接地的大矩形面板(74)上进行化学气相沉积。多个接地片(86)连接在基座的外围和接地真空腔室之间以缩短RF电子的接地路径。柔性片允许基座垂直移动。所述片提供围绕所述外围不对称的接地电导。所述片可均匀隔开但具有不同厚度或不同形状或从可用的接地点移除,由此提供不同RF电导。选择该不对称以改善沉积均匀性和PECVD所沉积膜的其他质量。

著录项

  • 公开/公告号CN101298670B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-02-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料股份有限公司;

    申请/专利号CN200810094494.9

  • 发明设计人 古田学;崔寿永;崔永镇;

    申请日2008-04-30

  • 分类号C23C16/513(20060101);H01L21/00(20060101);

  • 代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐金国

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-02-08

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C23C 16/513 变更前: 变更后: 申请日:20080430

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2012-02-01

    授权

    授权

  • 2008-12-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-11-05

    公开

    公开

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