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分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法

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本发明揭示了一种分子束外延生长GaN基发光晶体膜的方法，在生长过程中掺杂稀土离子，取代部分Ga

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公开/公告号CN101748382B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-01-11

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
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申请/专利号CN201010017135.0
发明设计人曾雄辉;徐科;王建峰;任国强;黄凯;包峰;张锦平;
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申请日2010-01-08
分类号
代理机构南京苏科专利代理有限责任公司;
代理人陈忠辉
地址 215125 江苏省苏州市工业园区若水路398号
入库时间 2022-08-23 09:08:59

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-12-28

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 16/34 授权公告日:20120111 终止日期:20180108 申请日:20100108

专利权的终止
2012-01-11

授权

授权
2012-01-11

授权

授权
2010-08-18

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/34 申请日:20100108

实质审查的生效
2010-08-18

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/34 申请日:20100108

实质审查的生效
2010-06-23

公开

公开
2010-06-23

公开

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