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曹文田; 孙振翠; 魏芹芹; 薛成山; 孙海波;
山东师范大学;
热壁化学气相沉积; GaN晶体膜; 载体H2;
机译:使用光学显微镜检查热退火等离子体增强化学气相沉积和热线化学气相沉积a-Si:H膜中的晶体成核和生长
机译:Si(3)和SiH2自由基的等离子体化学气相沉积过程中Si(001)-(2 x 1):H的不同晶体生长机理:紧密结合量子化学分子动力学模拟
机译:我们在Si底物上报告了常常数-FaN基的异质结场效应晶体管(HFET)。使用金属化学气相沉积(MOCVD)生长AlGaN / AIN / GaN异质结构。用于常关操作的HFET W.
机译:Si和SiGe / Si异质结构在热壁管状低压化学气相沉积系统中的选择性外延生长。
机译:基于NH4Cl在In中升华的化学气相沉积法在Si(111)上低温生长In2O3和InN纳米晶体。
机译:等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)氢化纳米晶体硅(NC-Si:H)膜的生长(PE-CVD)
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较
机译:GaN垂直通道结场 - 效应晶体管,通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)重生P-GaN
机译:单晶片热壁快速热化学气相沉积法低温沉积硅基薄膜
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