机译:等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)氢化纳米晶体硅(NC-Si:H)膜的生长(PE-CVD)
机译:氢稀释对通过等离子体增强化学气相沉积(PE-CVD)制备的氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜的结构,电学和光学性质的影响
机译:氩气流量对等离子体化学气相沉积氢化纳米晶硅(nc-Si:H)膜的影响
机译:射频功率对通过PE-CVD沉积的氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜的结构光学和电学性质的影响
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机译:等离子体增强了硅薄膜的化学气相沉积:利用等离子体诊断技术表征不同频率和气体成分下的薄膜生长。
机译:N2:(N2 + CH4)比在低温等离子体增强化学气相沉积法生长疏水纳米结构氢化氮化碳薄膜中的作用研究
机译:通过等离子体增强的化学气相沉积沉积氢化非晶碳化硅薄膜